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据外媒报道，半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社（Renesas Electronics Corporation）宣布推出新型栅极驱动器IC，旨在驱动电动汽车（EV）逆变器中IGBT（绝缘栅双极晶体管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高压功率器件。

图片来源：瑞萨

栅极驱动器IC是EV逆变器的重要组件，在逆变器控制MCU与为逆变器供电的IGBT和SiC MOSFET之间提供接口。栅极驱动器IC可在低压域中接收来自MCU的控制信号，并传输这些信号以快速打开和关闭高压域中的功率器件。为适应更高电压的EV电池，RAJ2930004AGM内置3.75kVrms隔离器，高于上一代产品中的2.5kVrms隔离器，可耐高压1200V。此外，新型驱动器IC具有150 V/ns（纳秒）或更高的卓越CMTI（共模瞬态抗扰度）性能，可提供可靠的通信和更高的抗噪性，同时满足逆变器系统所需的高电压和快速开关速度。新产品采用小型SOIC16封装中，但可提供栅极驱动器的所有基本功能，因此是具有成本效益的逆变器系统的理想选择。

RAJ2930004AGM可与瑞萨IGBT以及其他制造商的IGBT和SiC MOSFET结合使用。除了牵引逆变器外，该栅极驱动器IC还非常适合使用功率半导体的各种应用，例如车载充电器和直流/直流转换器。为帮助开发人员快速将产品推向市场，瑞萨电子推出xEV逆变器套件解决方案，将栅极驱动器IC与MCU、IGBT和电源管理IC相结合，并计划在2023年上半年发布包含新栅极驱动器IC的新版本。

RAJ2930004AGM栅极驱动器IC的主要特性：

隔离能力：耐受隔离电压3.75kVrms；CMTI（共模瞬态抗扰度）150V/ns；

栅极驱动能力：输出峰值电流10A；

保护/故障检测功能：片上有源米勒钳位；软关断；过流保护（DESAT保护）；欠压锁定（UVLO）故障反馈；

工作温度范围：-40至125°C（Tj：150°C最大值）。

该产品将通过实现具有成本效益的逆变器来帮助提高电动汽车的普及率，从而最大限度地减少对环境的影响。

关键词： 新型栅极驱动器IC EV逆变器 IGBT MOSFET