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11月6日，三星电子（Samsung Electronics）宣布已开始量产其具有业界最高位密度的1 Tb三级单元（TLC）第八代垂直NAND（V-NAND）。该产品还具有目前最高的存储容量，可为全球下一代企业服务器系统提供更大的存储空间。

图片来源：三星

三星电子闪存产品和技术执行副总裁SungHoi Hur表示：“随着市场对更密集、更大容量存储的需求不断上涨，V-NAND的层数变得越来越高。三星采用其先进的3D缩放技术来减少表面积和高度，同时避免通常在按比例缩小时发生的单元间干扰。我们的第八代V-NAND将有助于满足快速增长的市场需求，并使我们能够更好地提供更多差异化的产品和解决方案，为未来存储创新奠定基础。”

通过显著提高单片晶圆的比特生产率，三星实现了业界最高的比特密度。基于最新的NAND闪存标准Toggle DDR 5.0接口，三星的第八代V-NAND具有高达2.4 Gbps的输入和输出（I/O）速度，相较于上一代提升了1.2倍。因此新的V-NAND能够满足PCIe 4.0以及更高版本PCIe 5.0的性能要求。

第八代V-NAND有望为存储配置奠定基础，扩展下一代企业服务器的存储容量，同时将其应用扩展到可靠性尤为关键的汽车市场。

关键词： 三星电子 第8代垂直NAND